TG50: Różnice pomiędzy wersjami
| (Nie pokazano 2 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika) | |||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
[[File:TG50_f.jpg|thumb|200px]] | |||
Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych [[tranzystor|tranzystorów]] przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji. | Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych [[tranzystor|tranzystorów]] przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji. | ||
== Historia == | == Historia == | ||
[[File:TG50_k.jpg|thumb|200px|Tranzystor TG50 w obudowie tranzystora TC-11.]] | |||
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów. | W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów. | ||
[[File:Polis germanium transistors TG50.jpg|thumb|200px|Tranzystory TG50 w różnych odmianach obudowy.]] | |||
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, | Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, oznaczaną przyrostkiem "S". Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie [[Datowanie półprzewodników TEWA|kodu daty]] umieszczonego na obudowie. | ||
<center> | <center> | ||
<gallery widths=150> | <gallery widths=150> | ||
TG50_a.jpg | |||
TG50E.jpg | |||
TG51.jpg | |||
TG52.jpg | |||
TG53.jpg | |||
TG55.jpg | |||
TG50S-51S.jpg | |||
</gallery> | </gallery> | ||
</center> | </center> | ||
| Linia 50: | Linia 58: | ||
<center> | <center> | ||
<gallery widths=150> | <gallery widths=150> | ||
TG50_g.jpg | |||
TG50_i.jpg | |||
TG50_h.jpg | |||
Inside Polish germanium transistor TG50.jpg | |||
</gallery> | </gallery> | ||
</center> | </center> | ||
Aktualna wersja na dzień 08:54, 25 sty 2014
Seria TG50-TG55 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.
Historia
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów.
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, oznaczaną przyrostkiem "S". Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie kodu daty umieszczonego na obudowie.
Charakterystyka
TG50-TG55 były germanowymi tranzystorami stopowymi małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 500 kHz), typu pnp. Nieco na wyrost nazywano je tranzystorami "średniej mocy". Z grubsza ich parametry odpowiadały bardzo popularnemu tranzystorowi OC72 firmy Philips. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora.
Rzadko można natknąć się na tranzystor oznaczony TG50E. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach.
| Typ | Parametry dopuszczalne | Parametry charakterystyczne | Uwagi | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UCBO [V] | UCES [V] | IC [mA] | PC [mW] (tcase=25°C) | h21E (-10mA,-6V) | -ICBO (max,-12V) | fT [MHz] (min,1mA,-6V) | ||
| TG50 | -30 | -30 | -150 | 175 | 30..120 | 6 | 0.5 | Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963), Para: cena zbytu 38zł, detaliczna 51zł (1964) |
| TG50E | Rzadko spotykany, brak informacji w katalogach | |||||||
| TG51 | -60 | -60 | -150 | 175 | 15..120 | 6 | 0.5 | Cena zbytu 36zł, detaliczna 46zł (1963), Wysokonapięciowy do przetwornic. |
| TG52 | -30 | -30 | -150 | 175 | 15..120 | 6 | 0.5 | Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963). Do przetwornic. |
| TG53 | -15 | -15 | -150 | 175 | 30..120 | 6 | 0.5 | Cena zbytu 14zł, detaliczna 18zł (1963), Para: cena zbytu 30zł, detaliczna 40zł (1964) |
| TG55 | -30 | -30 | -150 | 175 | 30..120 | 6 | 0.5 | Cena zbytu 23zł, detaliczna 38zł (1963), Para: cena zbytu 48zł, detaliczna 85zł (1964). |
Propozycje zastosowania
Przypisy
- ↑ Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964