2N3055: Różnice pomiędzy wersjami
| Linia 5: | Linia 5: | ||
Pod koniec lat 50 w firmie RCA prowadzono zlecone przez ''Signal Corps'' prace nad konstrukcją krzemowych tranzystorów mocy. Opracowano technologię "hometaxial base" polegającą na jednoczesnej dyfuzji "wafla" krzemowego z obu stron - z jednej strony wytwarzano emiter, a z drugiej kolektor. Powstałe tranzystory początkowo nazywano ''devices 13, 14, 15'', ostatecznie otrzymały one nazwy 2N1482, 2N1486, oraz 2N1490. Tranzystor 2N3055 (i mniejszy 2N3054) powstał w latach 1959-60 po optymalizacji kosztów wytwarzania, głównie poprzez zastosowanie tańszej obudowy<ref>[http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Meisel/Meisel_Index.htm ''Early Transistor History at RCA'' Herb Meisel]</ref><ref>[http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Mohr/Mohr_Index.htm ''Early Transistor History at RCA'' Archer Mohr]</ref>. | Pod koniec lat 50 w firmie RCA prowadzono zlecone przez ''Signal Corps'' prace nad konstrukcją krzemowych tranzystorów mocy. Opracowano technologię "hometaxial base" polegającą na jednoczesnej dyfuzji "wafla" krzemowego z obu stron - z jednej strony wytwarzano emiter, a z drugiej kolektor. Powstałe tranzystory początkowo nazywano ''devices 13, 14, 15'', ostatecznie otrzymały one nazwy 2N1482, 2N1486, oraz 2N1490. Tranzystor 2N3055 (i mniejszy 2N3054) powstał w latach 1959-60 po optymalizacji kosztów wytwarzania, głównie poprzez zastosowanie tańszej obudowy<ref>[http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Meisel/Meisel_Index.htm ''Early Transistor History at RCA'' Herb Meisel]</ref><ref>[http://semiconductormuseum.com/Transistors/RCA/OralHistories/Mohr/Mohr_Index.htm ''Early Transistor History at RCA'' Archer Mohr]</ref>. | ||
2N3055 był bardzo popularny, produkowany w zasadzie przez wszystkie co większe fabryki tranzystorów. Przez niektóre europejskie firmy oznaczany był jako BDX10. W krajach RWPG był wytwarzany przez węgierski [[Tungsram]] (pod oryginalną nazwą), czechosłowacką Teslę (jako KD3055) oraz w Rumunii. | 2N3055 był bardzo popularny, produkowany w zasadzie przez wszystkie co większe fabryki tranzystorów. Przez niektóre europejskie firmy oznaczany był jako BDX10, a wersja o większym wzmocnieniu prądowym BDY73. W krajach RWPG był wytwarzany przez węgierski [[Tungsram]] (pod oryginalną nazwą), czechosłowacką Teslę (jako KD3055) oraz w Rumunii. | ||
W połowie lat 70 2N3055 został wyparty przez tranzystory | W połowie lat 70 2N3055 został w dużej mierze wyparty przez tranzystory epitaksjalno-planarne, tańsze w produkcji. | ||
== Właściwości i zastosowania == | == Właściwości i zastosowania == | ||
Wersja z 22:33, 30 gru 2018
Tranzystor 2N3055 – Kultowy krzemowy tranzystor mocy NPN wprowadzony na początku lat 60. Był masowo produkowany przez wiele firm, znalazł zastosowanie w ogromnej liczbie różnorakich urządzeń.
Historia
Pod koniec lat 50 w firmie RCA prowadzono zlecone przez Signal Corps prace nad konstrukcją krzemowych tranzystorów mocy. Opracowano technologię "hometaxial base" polegającą na jednoczesnej dyfuzji "wafla" krzemowego z obu stron - z jednej strony wytwarzano emiter, a z drugiej kolektor. Powstałe tranzystory początkowo nazywano devices 13, 14, 15, ostatecznie otrzymały one nazwy 2N1482, 2N1486, oraz 2N1490. Tranzystor 2N3055 (i mniejszy 2N3054) powstał w latach 1959-60 po optymalizacji kosztów wytwarzania, głównie poprzez zastosowanie tańszej obudowy[1][2].
2N3055 był bardzo popularny, produkowany w zasadzie przez wszystkie co większe fabryki tranzystorów. Przez niektóre europejskie firmy oznaczany był jako BDX10, a wersja o większym wzmocnieniu prądowym BDY73. W krajach RWPG był wytwarzany przez węgierski Tungsram (pod oryginalną nazwą), czechosłowacką Teslę (jako KD3055) oraz w Rumunii.
W połowie lat 70 2N3055 został w dużej mierze wyparty przez tranzystory epitaksjalno-planarne, tańsze w produkcji.
Właściwości i zastosowania
Oryginalny tranzystor 2N3055, wytwarzany technologią "hometaxial base", charakteryzuje się on dużą odpornością na zjawisko "wtórnego przebicia". Powoduje to, że posiada szeroki bezpieczny obszar pracy, umożliwiający wydzielenie maksymalnej mocy nawet przy pełnych dopuszczalnych napięciach kolektora. Niestety, kosztem niewielkiej częstotliwości granicznej i umiarkowanym współczynnikiem wzmocnienia prądowego.
2N3055 był bardzo chętnie stosowany wszędzie tam, gdzie nie była wymagana duża częstotliwość pracy, na przykład w zasilaczach i wzmacniaczach mocy małej częstotliwości. W latach 70 i 80 szeroko stosowano go również w Polsce, na przykład we wzmacniaczach mocy odbiorników radiowych Meluzyna, Kleopatra, czy wzmacniaczach firmy Fonica.
Ważniejsze parametry tranzystora 2N3055:
- obudowa TO-3,
- maksymalne natężenie prądu bazy Ib max=7 A,
- napięcie kolektor - baza Vcbo max=100 V,
- maksymalne natężenie prądu kolektora Ic max=15 A,cz
- maksymalne napięcie kolektor - emiter Uce max=60 V,
- maksymalna moc Ptot=115 W.
Ciekawostki
- Tranzystor komplementarny do 2N3055 powstał dużo później i był kilkukrotnie droższy. Nosił oznaczenie BDX18.
- Obecnie produkowany "komplementarny" MJ2955 jest wykonywany techniką eptaksjalną.
- Współcześnie sprzedawane tranzystory oznaczone 2N3055 są raczej epitaksjalne i nie zawsze charakteryzują się odpowiednim bezpiecznym obszarem pracy. Należy sprawdzać to w danych katalogowych producentów.
Para tranzystorów 2N3055 i BDX18 firmy Tungsram.
Wnętrze tranzystora 2N3055 Tungsram.
Wnętrze tranzystora 2N3055 Tungsram.
Wnętrze tranzystora BDX18 Tungsram.
Wnętrze tranzystora BDX18 Tungsram.
Przypisy
Bibliografia
Ellis, J.N., Osadchy, The 2N3055: a case history, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48 (2001), str. 2477-2484, doi:10.1109/16.960371, issn 0018-9383.