TG1: Różnice pomiędzy wersjami

Z Oktoda
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
(Utworzył nową stronę „thumb|200px Seria '''TG1-TG9''' to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzys...”)
 
mNie podano opisu zmian
(Nie pokazano 8 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika)
Linia 3: Linia 3:


== Historia ==
== Historia ==
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów.
Tranzystory serii TG1-TG5 to pierwsze polskie tranzystory produkowane masowo. Były to germanowe stopowe tranzystory małej mocy, typu PNP. Wytwarzano je długo - produkcję podjęto w Fabryce Półprzewodników [[TEWA]] na samym początku lat 60, a zakończono w latach 70.<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Produkowano również wersje o zwiększonej niezawodności, przeznaczone do sprzętu profesjonalnego - oznaczano je przyrostkiem "S". Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku, jak i w urządzeniach profesjonalnych i przemysłowych. Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie [[Datowanie półprzewodników TEWA|kodu daty]] umieszczonego na obudowie.
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, oznaczaną przyrostkiem "S".
Kod
<center>
<center>
<gallery widths=150>
<gallery widths=150>
 
TG1.jpg | Tranzystory TG1 w opakowaniu fabrycznym
TG2.jpg | Tranzystory TG2
TG2_p.jpg | Tranzystory TG2 w opakowaniu fabrycznym
TG2_r.jpg | Tranzystory TG2 z ostatniego okresu produkcji
TG3A_p.jpg | Tranzystory TG3A
TG3F_a.JPG | Tranzystor TG3F
TG4_p.jpg | Tranzystor TG4
TG5-e.jpg | Tranzystory TG5
TG5E.jpg | Tranzystory TG5E
TG5S.jpg | Tranzystor TG5S
TG8.jpg | Tranzystor TG8
TG9.jpg | Tranzystory TG9
</gallery>
</gallery>
</center>
</center>


== Charakterystyka ==
== Charakterystyka ==
TG50-TG55 były germanowymi tranzystorami stopowymi małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 500 kHz), typu pnp. Nieco na wyrost nazywano je tranzystorami "średniej mocy". Z grubsza ich parametry odpowiadały bardzo popularnemu tranzystorowi OC72 firmy Philips. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora.
Tranzystory TG1-TG9 występowały w kilku rodzajach obudowy. Pierwsze egzemplarze były umieszczane w półokrągło zakończonych podłużnych obudowach metalowych (obudowa nie była połączona z żadną z elektrod) malowanych na charakterystyczny zielony kolor. Kolektor oznaczano czerwoną kropką. Od połowy lat 60 tranzystory serii umieszczano obudowach TO1 (podobnych do TO18 o zwiększonej wysokości). Początkowo malowano je również na zielono, później poprzestano na pokryciu galwanicznym.
 
Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora, wzmocnieniem, częstotliwością graniczną i współczynnikoem szumów.


Rzadko można natknąć się na tranzystor oznaczony '''TG50E'''. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach.
* Tranzystor TG1 (o zdecydowanie najgorszych parametrach w całej serii) występował tylko na początku okresu produkcji, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się raczej jako inne typy. Zdjęcie przedstawia tranzystory w opakowaniu zbiorczym opisanym jako typ TG1. Same tranzystory nie są opisane, a pomalowano je na bardzo nietypowy dla TEWY czerwony kolor. Prawdopodobnie fabryka traktowała je wręcz jako odpady produkcyjne.
* Tranzystor TG2 miał parametry niewiele lepsze od TG1. Występował dosyć rzadko, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się już jako inne typy. Jedno ze zdjęć przedstawia tranzystory z oznaczeniem producenta [[CEMI]], co oznacza, że produkowano je jeszcze w latach 70 XX wieku - w epoce układów scalonych.
* Typy TG3A i TG3F to najlepsze tranzystory serii. Szczególnie TG3F charakteryzował się wysokim wzmocnieniem i małymi szumami, niestety był bardzo trudno osiągalny.
* Tranzystor TG4 to typ niskoszumny, przeznaczony do stosowania w stopniach wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości. Nie był zbyt często spotykany, bywał zastępowany niskoszumnymi tranzystorami importowanymi różnych typów.
* Bardzo dużą popularność zdobył tranzystor typu TG5. Był używany w stopniach napięciowych małej częstotliwości tranzystorowych odbiorników radiowych i w wielu innych zastosowaniach. Dosyć rzadki jest tranzystor TG5E, różniący się od wersji podstawowej niższym dopuszczalnym napięciem kolektora.


{| class="wikitable"
{| class="wikitable"
Linia 20: Linia 37:
! rowspan = 2 | Typ
! rowspan = 2 | Typ
! colspan = 4 | Parametry dopuszczalne
! colspan = 4 | Parametry dopuszczalne
! colspan = 3 | Parametry charakterystyczne
! colspan = 4 | Parametry charakterystyczne
! rowspan = 2 | Uwagi
! rowspan = 2 | Uwagi
|-
|-
! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [mA] !! P<sub>C</sub> [mW] (t<sub>case</sub>=25°C) !! h<sub>21E</sub> (-10mA,-6V) !! -I<sub>CBO</sub> (max,-12V) !! f<sub>T</sub> [MHz] (min,1mA,-6V)
! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [mA] !! P<sub>C</sub> [mW] (t<sub>case</sub>=25°C) !! h<sub>21E</sub> (-10mA,-6V) !! -I<sub>CBO</sub> (max,-12V) !! f<sub>T</sub> [MHz] (min,1mA,-6V) !! F<sub>max</sub> [dB]
|- align=center
! TG1
| -10 || -10 || -10 || 75 || 9..20 || 15 || 0.3 || 30
| Cena zbytu 9zł, detaliczna 12zł (1963). Najgorszy tranzystor serii, dosyć rzadko spotykany.
|- align=center
|- align=center
! TG50
! TG2
| -30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| -15 || -15 || -10 || 75 || 20..80 || 15 || 0.6 || 30
| Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963), Para: cena zbytu 38zł, detaliczna 51zł (1964)
| Cena zbytu 12zł, detaliczna 15zł (1963). Dosyć rzadko spotykany.
|- align=center
|- align=center
! TG50E
! TG3A
| || || || || || || || Rzadko spotykany, brak informacji w katalogach
| -15 || -15 || -10 || 75 || 70..120 || 15 || 1 ||
| Cena zbytu 19zł, detaliczna 26zł (1963).
|- align=center
|- align=center
! TG51
! TG3F
| -60 || -60 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5
| -15 || -15 || -10 || 75 || 80..250 || 10 || 2 || 10
| Cena zbytu 36zł, detaliczna 46zł (1963), Wysokonapięciowy do przetwornic.  
| Najlepszy tranzystor serii, rzadko spotykany.  
|- align=center
|- align=center
! TG52
! TG4
| -30 || -30 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5
| -15 || -15 || -10 || 75 || 25..90 || 10 || 0.6 || 10
| Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963). Do przetwornic. 
| Cena zbytu 16zł, detaliczna 22zł (1963), tranzystor "niskoszumny".
|- align=center
|- align=center
! TG53
! TG5
| -15 || -15 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| -30 || -30 || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 15
| Cena zbytu 14zł, detaliczna 18zł (1963), Para: cena zbytu 30zł, detaliczna 40zł (1964)
| Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny.
|- align=center
|- align=center
! TG55
! TG5E
| -30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| -15 || || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 15
| Cena zbytu 23zł, detaliczna 38zł (1963), Para: cena zbytu 48zł, detaliczna 85zł (1964).
| Rzadki.
|- align=center
! TG6
| -30 ||  || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 30
| Bardzo rzadki.
|- align=center
! TG8
| -60 || -60 || -10 || 75 || 20..80 || 15 || 0.6 ||
| Wyskonapięciowy, bardzo rzadki.
|- align=center
! TG9
| -15 || -15 || -50 || 75 || ≥20 || 5 || 1.5 ||
| Impulsowy, bardzo rzadki.
|}
|}
<center>
<center>
<gallery widths=150>
<gallery widths=150>
 
TEWA TG5 interior.jpg
TG5_b.jpg
TG5_n.jpg
TG5_c.jpg
</gallery>
</gallery>
Wnętrze tranzystora TG5. Zdjęcia przedstawiają tranzystor w obudowie TO1 (podobnej do wydłużonej TO18). Kwadratowa germanowa struktura tranzystora przylutowana jest do okrągłej blaszki pełniącej rolę wspornika i zgrzanej z drutem wyprowadzenia bazy. Dla lepszego odprowadzenia ciepła i ochroną przed czynnikami atmosferycznymi obudowa została wypełniona smarem silikonowym.
</center>
</center>


Linia 66: Linia 104:
== Linki zewnętrzne ==
== Linki zewnętrzne ==
* [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg5/tg5.htm Tranzystor TG5 na stronie Alka Zawady].
* [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg5/tg5.htm Tranzystor TG5 na stronie Alka Zawady].
* [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg3a/tg3a.htm Tranzystor TG3A na stronie Alka Zawady].


[[Kategoria: Półprzewodniki]]
[[Kategoria: Półprzewodniki]]

Wersja z 10:41, 25 sty 2014

TG5 d.jpg

Seria TG1-TG9 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, małej mocy, małej częstotliwości typu PNP. W latach 60 TG5 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.

Historia

Tranzystory serii TG1-TG5 to pierwsze polskie tranzystory produkowane masowo. Były to germanowe stopowe tranzystory małej mocy, typu PNP. Wytwarzano je długo - produkcję podjęto w Fabryce Półprzewodników TEWA na samym początku lat 60, a zakończono w latach 70.[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Produkowano również wersje o zwiększonej niezawodności, przeznaczone do sprzętu profesjonalnego - oznaczano je przyrostkiem "S". Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku, jak i w urządzeniach profesjonalnych i przemysłowych. Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie kodu daty umieszczonego na obudowie. Kod

  • Tranzystory TG1 w opakowaniu fabrycznym

  • Tranzystory TG2

  • Tranzystory TG2 w opakowaniu fabrycznym

  • Tranzystory TG2 z ostatniego okresu produkcji

  • Tranzystory TG3A

  • Tranzystor TG3F

  • Tranzystor TG4

  • Tranzystory TG5

  • Tranzystory TG5E

  • Tranzystor TG5S

  • Tranzystor TG8

  • Tranzystory TG9

Charakterystyka

Tranzystory TG1-TG9 występowały w kilku rodzajach obudowy. Pierwsze egzemplarze były umieszczane w półokrągło zakończonych podłużnych obudowach metalowych (obudowa nie była połączona z żadną z elektrod) malowanych na charakterystyczny zielony kolor. Kolektor oznaczano czerwoną kropką. Od połowy lat 60 tranzystory serii umieszczano obudowach TO1 (podobnych do TO18 o zwiększonej wysokości). Początkowo malowano je również na zielono, później poprzestano na pokryciu galwanicznym.

Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora, wzmocnieniem, częstotliwością graniczną i współczynnikoem szumów.

  • Tranzystor TG1 (o zdecydowanie najgorszych parametrach w całej serii) występował tylko na początku okresu produkcji, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się raczej jako inne typy. Zdjęcie przedstawia tranzystory w opakowaniu zbiorczym opisanym jako typ TG1. Same tranzystory nie są opisane, a pomalowano je na bardzo nietypowy dla TEWY czerwony kolor. Prawdopodobnie fabryka traktowała je wręcz jako odpady produkcyjne.
  • Tranzystor TG2 miał parametry niewiele lepsze od TG1. Występował dosyć rzadko, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się już jako inne typy. Jedno ze zdjęć przedstawia tranzystory z oznaczeniem producenta CEMI, co oznacza, że produkowano je jeszcze w latach 70 XX wieku - w epoce układów scalonych.
  • Typy TG3A i TG3F to najlepsze tranzystory serii. Szczególnie TG3F charakteryzował się wysokim wzmocnieniem i małymi szumami, niestety był bardzo trudno osiągalny.
  • Tranzystor TG4 to typ niskoszumny, przeznaczony do stosowania w stopniach wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości. Nie był zbyt często spotykany, bywał zastępowany niskoszumnymi tranzystorami importowanymi różnych typów.
  • Bardzo dużą popularność zdobył tranzystor typu TG5. Był używany w stopniach napięciowych małej częstotliwości tranzystorowych odbiorników radiowych i w wielu innych zastosowaniach. Dosyć rzadki jest tranzystor TG5E, różniący się od wersji podstawowej niższym dopuszczalnym napięciem kolektora.
Typ Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne Uwagi
UCBO [V] UCES [V] IC [mA] PC [mW] (tcase=25°C) h21E (-10mA,-6V) -ICBO (max,-12V) fT [MHz] (min,1mA,-6V) Fmax [dB]
TG1 -10 -10 -10 75 9..20 15 0.3 30 Cena zbytu 9zł, detaliczna 12zł (1963). Najgorszy tranzystor serii, dosyć rzadko spotykany.
TG2 -15 -15 -10 75 20..80 15 0.6 30 Cena zbytu 12zł, detaliczna 15zł (1963). Dosyć rzadko spotykany.
TG3A -15 -15 -10 75 70..120 15 1 Cena zbytu 19zł, detaliczna 26zł (1963).
TG3F -15 -15 -10 75 80..250 10 2 10 Najlepszy tranzystor serii, rzadko spotykany.
TG4 -15 -15 -10 75 25..90 10 0.6 10 Cena zbytu 16zł, detaliczna 22zł (1963), tranzystor "niskoszumny".
TG5 -30 -30 -10 75 25..80 15 0.8 15 Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny.
TG5E -15 -10 75 25..80 15 0.8 15 Rzadki.
TG6 -30 -10 75 25..80 15 0.8 30 Bardzo rzadki.
TG8 -60 -60 -10 75 20..80 15 0.6 Wyskonapięciowy, bardzo rzadki.
TG9 -15 -15 -50 75 ≥20 5 1.5 Impulsowy, bardzo rzadki.
  • TEWA TG5 interior.jpg
  • TG5 b.jpg
  • TG5 n.jpg
  • TG5 c.jpg

Wnętrze tranzystora TG5. Zdjęcia przedstawiają tranzystor w obudowie TO1 (podobnej do wydłużonej TO18). Kwadratowa germanowa struktura tranzystora przylutowana jest do okrągłej blaszki pełniącej rolę wspornika i zgrzanej z drutem wyprowadzenia bazy. Dla lepszego odprowadzenia ciepła i ochroną przed czynnikami atmosferycznymi obudowa została wypełniona smarem silikonowym.

Propozycje zastosowania

Przypisy

  1. ↑ Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964

Bibliografia

Linki zewnętrzne

Źródło: „http://bee.mif.pg.gda.pl/Oktoda/index.php?title=TG1&oldid=2896”