TG50: Różnice pomiędzy wersjami
(Utworzył nową stronę „Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi,...”) |
Nie podano opisu zmian |
||
| Linia 27: | Linia 27: | ||
! rowspan = 2 | Uwagi | ! rowspan = 2 | Uwagi | ||
|- | |- | ||
! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [ | ! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [mA] !! P<sub>C</sub> [mW] (t<sub>case</sub>=25°C) !! h<sub>21E</sub> (-10mA,-6V) !! -I<sub>CBO</sub> (max,-12V) !! f<sub>T</sub> [MHz] (min,1mA,-6V) | ||
|- align=center | |- align=center | ||
! | ! TG50 | ||
| -30 || -30 || - | | -30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5 | ||
| Cena | | Cena | ||
|- align=center | |- align=center | ||
! | ! TG51 | ||
| - | | -60 || -60 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5 | ||
| Cena | | Cena | ||
|- align=center | |- align=center | ||
! | ! TG52 | ||
| - | | -30 || -30 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5 | ||
| Cena | | Cena | ||
|- align=center | |- align=center | ||
! | ! TG53 | ||
| - | | -15 || -15 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5 | ||
! TG55 | |||
-30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5 | |||
|} | |} | ||
<center> | <center> | ||
<gallery widths=150> | <gallery widths=150> | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</center> | </center> | ||
Wersja z 18:22, 5 maj 2013
Seria TG50-TG55 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.
Historia
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również popularne wśród radioamatorów.
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, początkowo oznaczaną przyrostkiem "S".
Charakterystyka
TG70-TG72 były germanowymi tranzystorami stopowymi dużej mocy (dopuszczalna moc strat kolektora 10W) i małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 100 kHz), typu pnp. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora - TG70: 30V, TG71: 20V i TG72: 60V.
Bardzo rzadko można natknąć się na tranzystor TG73. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach. Pomiary wykonane na pojedynczych egzemplarzach wskazują, że miał on większe dopuszczalne napięcia od pozostałych tranzystorów serii. Może to być jednak złudne, gdyż niektóre egzemplarze tranzystorów TG70 charakteryzują się jeszcze wyższymi napięciami przebicia.
Tranzystory TG70 z głównego okresu produkcji występowały w trzech rodzajach obudowy TO-3. Pierwszy charakteryzuje się uszczelnieniem miejsca zgrzewu części obudowy za pomocą żywicy. Drugi nie ma żywicy, a ma mniej zaokrągloną "pokrywkę". Trzecia wersja, produkowana w latach 70 (zarówno pod nazwą TG70 jak ADP670) jest najbardziej płaska i ma przetłoczenie na bocznej powierzchni "pokrywki". Zdarzały się egzemplarze ze złoconymi wyprowadzeniami.
| Typ | Parametry dopuszczalne | Parametry charakterystyczne | Uwagi | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UCBO [V] | UCES [V] | IC [mA] | PC [mW] (tcase=25°C) | h21E (-10mA,-6V) | -ICBO (max,-12V) | fT [MHz] (min,1mA,-6V) | ||
| TG50 | -30 | -30 | -150 | 175 | 30..120 | 6 | 0.5 | Cena |
| TG51 | -60 | -60 | -150 | 175 | 15..120 | 6 | 0.5 | Cena |
| TG52 | -30 | -30 | -150 | 175 | 15..120 | 6 | 0.5 | Cena |
| TG53 | -15 | -15 | -150 | 175 | 30..120 | 6 | 0.5 | TG55
-30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5 |
Propozycje zastosowania
Przypisy
- ↑ Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964