TG50: Różnice pomiędzy wersjami

Z Oktoda
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
(Utworzył nową stronę „Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi,...”)
 
 
(Nie pokazano 5 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika)
Linia 1: Linia 1:
[[File:TG50_f.jpg|thumb|200px]]
Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych [[tranzystor|tranzystorów]] przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.
Seria '''TG50-TG55''' to jedne z pierwszych [[tranzystor|tranzystorów]] przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.


== Historia ==
== Historia ==
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również popularne wśród radioamatorów.
[[File:TG50_k.jpg|thumb|200px|Tranzystor TG50 w obudowie tranzystora TC-11.]]
 
W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów.
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, początkowo oznaczaną przyrostkiem "S".
[[File:Polis germanium transistors TG50.jpg|thumb|200px|Tranzystory TG50 w różnych odmianach obudowy.]]
Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, oznaczaną przyrostkiem "S". Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie [[Datowanie półprzewodników TEWA|kodu daty]] umieszczonego na obudowie.
<center>
<center>
<gallery widths=150>
<gallery widths=150>
 
TG50_a.jpg
TG50E.jpg
TG51.jpg
TG52.jpg
TG53.jpg
TG55.jpg
TG50S-51S.jpg
</gallery>
</gallery>
</center>
</center>


== Charakterystyka ==
== Charakterystyka ==
TG50-TG55 były germanowymi tranzystorami stopowymi małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 500 kHz), typu pnp. Nieco na wyrost nazywano je tranzystorami "średniej mocy". Z grubsza ich parametry odpowiadały bardzo popularnemu tranzystorowi OC72 firmy Philips. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora.


 
Rzadko można natknąć się na tranzystor oznaczony '''TG50E'''. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach.
TG70-TG72 były germanowymi tranzystorami stopowymi dużej mocy (dopuszczalna moc strat kolektora 10W) i małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 100 kHz), typu pnp. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora - TG70: 30V, TG71: 20V i TG72: 60V.
 
Bardzo rzadko można natknąć się na tranzystor '''TG73'''. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach. Pomiary wykonane na pojedynczych egzemplarzach wskazują, że miał on większe dopuszczalne napięcia od pozostałych tranzystorów serii. Może to być jednak złudne, gdyż niektóre egzemplarze tranzystorów TG70 charakteryzują się jeszcze wyższymi napięciami przebicia.
 
Tranzystory TG70 z głównego okresu produkcji występowały w trzech rodzajach obudowy TO-3. Pierwszy charakteryzuje się uszczelnieniem miejsca zgrzewu części obudowy za pomocą żywicy. Drugi nie ma żywicy, a ma mniej zaokrągloną "pokrywkę". Trzecia wersja, produkowana w latach 70 (zarówno pod nazwą TG70 jak ADP670) jest najbardziej płaska i ma przetłoczenie na bocznej powierzchni "pokrywki". Zdarzały się egzemplarze ze złoconymi wyprowadzeniami.


{| class="wikitable"
{| class="wikitable"
Linia 27: Linia 31:
! rowspan = 2 | Uwagi
! rowspan = 2 | Uwagi
|-
|-
! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [A] !! P<sub>C</sub> [W] (t<sub>case</sub>=25°C) !! h<sub>21E</sub> (-0.3A,-0.6V) !! -I<sub>CBO</sub> (max,-20V) !! f<sub>T</sub> [MHz] (min,1mA,-6V)
! U<sub>CBO</sub> [V] !! U<sub>CES</sub> [V] !! I<sub>C</sub> [mA] !! P<sub>C</sub> [mW] (t<sub>case</sub>=25°C) !! h<sub>21E</sub> (-10mA,-6V) !! -I<sub>CBO</sub> (max,-12V) !! f<sub>T</sub> [MHz] (min,1mA,-6V)
|- align=center
! TG50
| -30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963), Para: cena zbytu 38zł, detaliczna 51zł (1964)
|- align=center
! TG50E
| || || || || || || || Rzadko spotykany, brak informacji w katalogach
|- align=center
|- align=center
! TG70
! TG51
| -30 || -30 || -1.5 || 10 || 30..200 || 100 || 0.1
| -60 || -60 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5
| Cena zbytu 210zł (1963), 75zł (1964), detaliczna 115zł (1964). Para: cena zbytu 160zł, detaliczna 260zł (1964).
| Cena zbytu 36zł, detaliczna 46zł (1963), Wysokonapięciowy do przetwornic.  
|- align=center
|- align=center
! TG71
! TG52
| -20 || -20 || -1.5 || 10 || 30..200 || 100 || 0.1
| -30 || -30 || -150 || 175 || 15..120 || 6 || 0.5
| Cena zbytu 65zł, detaliczna 82zł (1963). Para: cena zbytu 138zł, detaliczna 180zł (1964).  
| Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963). Do przetwornic.
|- align=center
|- align=center
! TG72
! TG53
| -60 || -60 || -1.5 || 10 || 30..200 || 100 || 0.1
| -15 || -15 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| Cena zbytu 150zł, detaliczna 220zł (1964). Para: cena zbytu 310zł, detaliczna 500zł (1964).
| Cena zbytu 14zł, detaliczna 18zł (1963), Para: cena zbytu 30zł, detaliczna 40zł (1964)
|- align=center
|- align=center
! TG73
! TG55
| -90 || -90  || || || || || || Wartości oszacowane na podstawie pomiarów.
| -30 || -30 || -150 || 175 || 30..120 || 6 || 0.5
| Cena zbytu 23zł, detaliczna 38zł (1963), Para: cena zbytu 48zł, detaliczna 85zł (1964).
|}
|}
<center>
<center>
<gallery widths=150>
<gallery widths=150>
TG70_f.jpg
TG50_g.jpg
Inside TG70 transistor.jpg
TG50_i.jpg
TG70_i.jpg
TG50_h.jpg
TG70_h.jpg
Inside Polish germanium transistor TG50.jpg
</gallery>
</gallery>
</center>
</center>

Aktualna wersja na dzień 10:54, 25 sty 2014

TG50 f.jpg

Seria TG50-TG55 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, średniej mocy, typu PNP. W latach 60 TG50 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.

Historia

Tranzystor TG50 w obudowie tranzystora TC-11.

W Fabryce Półprzewodników TEWA na początku lat 60 uruchomiono produkcję germanowych tranzystorów stopowych PNP typów TG50-TG55 (nie było TG54)[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Określano je wtedy tranzystorami średniej mocy. W pierwszych danych katalogowych maksymalną moc rozpraszaną w kolektorze określano na 150mW, później na 175mW. Poszczególne tranzystory serii różniły się przede wszystkim dopuszczalnym napięciem emiter-kolektor. Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku jako tranzystory końcowe niewielkich stopni mocy, a także do sterowania żaróweczek, przekaźników, itp, itd. Były również bardzo popularne wśród radioamatorów.

Tranzystory TG50 w różnych odmianach obudowy.

Pierwsze egzemplarze, bardzo rzadkie, umieszczono w obudowie identycznej jak tranzystory TC-11. Seryjny TG50 występował w kilku typach obudowy. Początkowe wersje miały ksztat kapelusza i były malowane na charakterystyczny zielony kolor. Wyprowadzenie bazy było zgrzane z obudową, a kolektora oznaczone czerwoną kropką. Później zaprzestano malowania i obudowy były pasywowane. W połowie lat 60 zaczęto umieszczać tranzystory rodziny TG50 w standardowej obudowie TO5. Produkowano również wersję o zwiększonej niezawodności, do celów profesjonalnych, oznaczaną przyrostkiem "S". Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie kodu daty umieszczonego na obudowie.

Charakterystyka

TG50-TG55 były germanowymi tranzystorami stopowymi małej częstotliwości (częstotliwość graniczna wynosiła 500 kHz), typu pnp. Nieco na wyrost nazywano je tranzystorami "średniej mocy". Z grubsza ich parametry odpowiadały bardzo popularnemu tranzystorowi OC72 firmy Philips. Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora.

Rzadko można natknąć się na tranzystor oznaczony TG50E. Nie ma o nim żadnej wzmianki w dostępnych źródłach pisanych ani katalogach.

Typ Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne Uwagi
UCBO [V] UCES [V] IC [mA] PC [mW] (tcase=25°C) h21E (-10mA,-6V) -ICBO (max,-12V) fT [MHz] (min,1mA,-6V)
TG50 -30 -30 -150 175 30..120 6 0.5 Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963), Para: cena zbytu 38zł, detaliczna 51zł (1964)
TG50E Rzadko spotykany, brak informacji w katalogach
TG51 -60 -60 -150 175 15..120 6 0.5 Cena zbytu 36zł, detaliczna 46zł (1963), Wysokonapięciowy do przetwornic.
TG52 -30 -30 -150 175 15..120 6 0.5 Cena zbytu 18zł, detaliczna 23zł (1963). Do przetwornic.
TG53 -15 -15 -150 175 30..120 6 0.5 Cena zbytu 14zł, detaliczna 18zł (1963), Para: cena zbytu 30zł, detaliczna 40zł (1964)
TG55 -30 -30 -150 175 30..120 6 0.5 Cena zbytu 23zł, detaliczna 38zł (1963), Para: cena zbytu 48zł, detaliczna 85zł (1964).

Propozycje zastosowania

Przypisy

  1. Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964

Bibliografia

Linki zewnętrzne