TG1

Z Oktoda
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania

Seria TG1-TG9 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, małej mocy, małej częstotliwości typu PNP. W latach 60 TG5 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.

Historia

Tranzystory serii TG1-TG5 to pierwsze polskie tranzystory produkowane masowo. Były to germanowe stopowe tranzystory małej mocy, typu PNP. Wytwarzano je długo - produkcję podjęto w Fabryce Półprzewodników TEWA na samym początku lat 60, a zakończono w latach 70.[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Produkowano również wersje o zwiększonej niezawodności, przeznaczone do sprzętu profesjonalnego - oznaczano je przyrostkiem "S". Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku, jak i w urządzeniach profesjonalnych i przemysłowych. Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie kodu daty umieszczonego na obudowie.

Charakterystyka

Tranzystory TG1-TG9 występowały w kilku rodzajach obudowy. Pierwsze egzemplarze były umieszczane w półokrągło zakończonych podłużnych obudowach metalowych (obudowa nie była połączona z żadną z elektrod) malowanych na charakterystyczny zielony kolor. Kolektor oznaczano czerwoną kropką. Od połowy lat 60 tranzystory serii umieszczano obudowach TO1 (podobnych do TO18 o zwiększonej wysokości). Początkowo malowano je również na zielono, później poprzestano na pokryciu galwanicznym.

Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora, wzmocnieniem, częstotliwością graniczną i współczynnikoem szumów.

  • Tranzystor TG1 (o zdecydowanie najgorszych parametrach w całej serii) występował tylko na początku okresu produkcji, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się raczej jako inne typy. Zdjęcie przedstawia tranzystory w opakowaniu zbiorczym opisanym jako typ TG1. Same tranzystory nie są opisane, a pomalowano je na bardzo nietypowy dla TEWY czerwony kolor. Prawdopodobnie fabryka traktowała je wręcz jako odpady produkcyjne.
  • Tranzystor TG2 miał parametry niewiele lepsze od TG1. Występował dosyć rzadko, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się już jako inne typy. Jedno ze zdjęć przedstawia tranzystory z oznaczeniem producenta CEMI, co oznacza, że produkowano je jeszcze w latach 70 XX wieku - w epoce układów scalonych.
  • Typy TG3A i TG3F to najlepsze tranzystory serii. Szczególnie TG3F charakteryzował się wysokim wzmocnieniem i małymi szumami, niestety był bardzo trudno osiągalny.
  • Tranzystor TG4 to typ niskoszumny, przeznaczony do stosowania w stopniach wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości. Nie był zbyt często spotykany, bywał zastępowany niskoszumnymi tranzystorami importowanymi różnych typów.
  • Bardzo dużą popularność zdobył tranzystor typu TG5. Był używany w stopniach napięciowych małej częstotliwości tranzystorowych odbiorników radiowych i w wielu innych zastosowaniach. Dosyć rzadki jest tranzystor TG5E, różniący się od wersji podstawowej niższym dopuszczalnym napięciem kolektora.
Typ Parametry dopuszczalne Parametry charakterystyczne Uwagi
UCBO [V] UCES [V] IC [mA] PC [mW] (tcase=25°C) h21E (-10mA,-6V) -ICBO (max,-12V) fT [MHz] (min,1mA,-6V) Fmax [dB]
TG1 -10 -10 -10 75 9..20 15 0.3 30 Cena zbytu 9zł, detaliczna 12zł (1963). Najgorszy tranzystor serii, dosyć rzadko spotykany.
TG2 -15 -15 -10 75 20..80 15 0.6 30 Cena zbytu 12zł, detaliczna 15zł (1963). Dosyć rzadko spotykany.
TG3A -15 -15 -10 75 70..120 15 1 Cena zbytu 19zł, detaliczna 26zł (1963).
TG3F -15 -15 -10 75 80..250 10 2 10 Najlepszy tranzystor serii, rzadko spotykany.
TG4 -15 -15 -10 75 25..90 10 0.6 10 Cena zbytu 16zł, detaliczna 22zł (1963), tranzystor "niskoszumny".
TG5 -30 -30 -10 75 25..80 15 0.8 15 Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny.
TG5E -15 -10 75 25..80 15 0.8 15 Rzadki.
TG6 -30 -10 75 25..80 15 0.8 30 Bardzo rzadki.
TG8 -60 -60 -10 75 20..80 15 0.6 Wyskonapięciowy, bardzo rzadki.
TG9 -15 -15 -50 75 ≥20 5 1.5 Impulsowy, bardzo rzadki.

Wnętrze tranzystora TG5. Zdjęcia przedstawiają tranzystor w obudowie TO1 (podobnej do wydłużonej TO18). Kwadratowa germanowa struktura tranzystora przylutowana jest do okrągłej blaszki pełniącej rolę wspornika i zgrzanej z drutem wyprowadzenia bazy. Dla lepszego odprowadzenia ciepła i ochroną przed czynnikami atmosferycznymi obudowa została wypełniona smarem silikonowym.

Propozycje zastosowania

Przypisy

  1. Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964

Bibliografia

Linki zewnętrzne