TG1: Różnice pomiędzy wersjami
(Nie pokazano 7 pośrednich wersji utworzonych przez tego samego użytkownika) | |||
Linia 3: | Linia 3: | ||
== Historia == | == Historia == | ||
Tranzystory serii TG1-TG5 to pierwsze polskie tranzystory produkowane masowo. Były to germanowe stopowe tranzystory małej mocy, typu PNP. Wytwarzano je długo - produkcję podjęto w Fabryce Półprzewodników [[TEWA]] na samym początku lat 60, a zakończono w latach 70.<ref>''Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego'', WKŁ, Warszawa 1964</ref>. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Produkowano również wersje o zwiększonej niezawodności, przeznaczone do sprzętu profesjonalnego - oznaczano je przyrostkiem "S". Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku, jak i w urządzeniach profesjonalnych i przemysłowych. Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie [[Datowanie półprzewodników TEWA|kodu daty]] umieszczonego na obudowie. | |||
<center> | <center> | ||
<gallery widths=150> | <gallery widths=150> | ||
Linia 23: | Linia 23: | ||
== Charakterystyka == | == Charakterystyka == | ||
... | Tranzystory TG1-TG9 występowały w kilku rodzajach obudowy. Pierwsze egzemplarze były umieszczane w półokrągło zakończonych podłużnych obudowach metalowych (obudowa nie była połączona z żadną z elektrod) malowanych na charakterystyczny zielony kolor. Kolektor oznaczano czerwoną kropką. Od połowy lat 60 tranzystory serii umieszczano obudowach TO1 (podobnych do TO18 o zwiększonej wysokości). Początkowo malowano je również na zielono, później poprzestano na pokryciu galwanicznym. | ||
Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora, wzmocnieniem, częstotliwością graniczną i współczynnikoem szumów. | |||
* Tranzystor TG1 (o zdecydowanie najgorszych parametrach w całej serii) występował tylko na początku okresu produkcji, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się raczej jako inne typy. Zdjęcie przedstawia tranzystory w opakowaniu zbiorczym opisanym jako typ TG1. Same tranzystory nie są opisane, a pomalowano je na bardzo nietypowy dla TEWY czerwony kolor. Prawdopodobnie fabryka traktowała je wręcz jako odpady produkcyjne. | |||
* Tranzystor TG2 miał parametry niewiele lepsze od TG1. Występował dosyć rzadko, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się już jako inne typy. Jedno ze zdjęć przedstawia tranzystory z oznaczeniem producenta [[CEMI]], co oznacza, że produkowano je jeszcze w latach 70 XX wieku - w epoce układów scalonych. | |||
* Typy TG3A i TG3F to najlepsze tranzystory serii. Szczególnie TG3F charakteryzował się wysokim wzmocnieniem i małymi szumami, niestety był bardzo trudno osiągalny. | |||
* Tranzystor TG4 to typ niskoszumny, przeznaczony do stosowania w stopniach wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości. Nie był zbyt często spotykany, bywał zastępowany niskoszumnymi tranzystorami importowanymi różnych typów. | |||
* Bardzo dużą popularność zdobył tranzystor typu TG5. Był używany w stopniach napięciowych małej częstotliwości tranzystorowych odbiorników radiowych i w wielu innych zastosowaniach. Dosyć rzadki jest tranzystor TG5E, różniący się od wersji podstawowej niższym dopuszczalnym napięciem kolektora. | |||
{| class="wikitable" | {| class="wikitable" | ||
Linia 50: | Linia 56: | ||
! TG3F | ! TG3F | ||
| -15 || -15 || -10 || 75 || 80..250 || 10 || 2 || 10 | | -15 || -15 || -10 || 75 || 80..250 || 10 || 2 || 10 | ||
| | | Najlepszy tranzystor serii, rzadko spotykany. | ||
|- align=center | |- align=center | ||
! TG4 | ! TG4 | ||
Linia 59: | Linia 65: | ||
| -30 || -30 || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 15 | | -30 || -30 || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 15 | ||
| Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny. | | Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny. | ||
|- align=center | |||
! TG5E | |||
| -15 || || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 15 | |||
| Rzadki. | |||
|- align=center | |||
! TG6 | |||
| -30 || || -10 || 75 || 25..80 || 15 || 0.8 || 30 | |||
| Bardzo rzadki. | |||
|- align=center | |||
! TG8 | |||
| -60 || -60 || -10 || 75 || 20..80 || 15 || 0.6 || | |||
| Wyskonapięciowy, bardzo rzadki. | |||
|- align=center | |||
! TG9 | |||
| -15 || -15 || -50 || 75 || ≥20 || 5 || 1.5 || | |||
| Impulsowy, bardzo rzadki. | |||
|} | |} | ||
<center> | <center> | ||
Linia 67: | Linia 89: | ||
TG5_c.jpg | TG5_c.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
Wnętrze tranzystora TG5. Zdjęcia przedstawiają tranzystor w obudowie TO1 (podobnej do wydłużonej TO18). Kwadratowa germanowa struktura tranzystora przylutowana jest do okrągłej blaszki pełniącej rolę wspornika i zgrzanej z drutem wyprowadzenia bazy. Dla lepszego odprowadzenia ciepła i ochroną przed czynnikami atmosferycznymi obudowa została wypełniona smarem silikonowym. | |||
</center> | </center> | ||
Linia 81: | Linia 104: | ||
== Linki zewnętrzne == | == Linki zewnętrzne == | ||
* [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg5/tg5.htm Tranzystor TG5 na stronie Alka Zawady]. | * [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg5/tg5.htm Tranzystor TG5 na stronie Alka Zawady]. | ||
* [http://www.tubedevices.com/alek/polprzewodniki/tg3a/tg3a.htm Tranzystor TG3A na stronie Alka Zawady]. | |||
[[Kategoria: Półprzewodniki]] | [[Kategoria: Półprzewodniki]] |
Aktualna wersja na dzień 14:09, 8 lip 2023
Seria TG1-TG9 to jedne z pierwszych tranzystorów przemysłowo wielkoseryjnie produkowanych w Polsce. Są tranzystorami germanowymi stopowymi, małej mocy, małej częstotliwości typu PNP. W latach 60 TG5 był jedynym z najbardziej masowo używanych tranzystorów polskiej produkcji.
Historia
Tranzystory serii TG1-TG5 to pierwsze polskie tranzystory produkowane masowo. Były to germanowe stopowe tranzystory małej mocy, typu PNP. Wytwarzano je długo - produkcję podjęto w Fabryce Półprzewodników TEWA na samym początku lat 60, a zakończono w latach 70.[1]. Były to jedne z pierwszych tranzystorów produkowanych przemysłowo w dużych seriach. Produkowano również wersje o zwiększonej niezawodności, przeznaczone do sprzętu profesjonalnego - oznaczano je przyrostkiem "S". Stosowano je bardzo powszechnie zarówno w sprzęcie powszechnego użytku, jak i w urządzeniach profesjonalnych i przemysłowych. Rok i miesiąc produkcji można określić na podstawie kodu daty umieszczonego na obudowie.
-
Tranzystory TG1 w opakowaniu fabrycznym
-
Tranzystory TG2
-
Tranzystory TG2 w opakowaniu fabrycznym
-
Tranzystory TG2 z ostatniego okresu produkcji
-
Tranzystory TG3A
-
Tranzystor TG3F
-
Tranzystor TG4
-
Tranzystory TG5
-
Tranzystory TG5E
-
Tranzystor TG5S
-
Tranzystor TG8
-
Tranzystory TG9
Charakterystyka
Tranzystory TG1-TG9 występowały w kilku rodzajach obudowy. Pierwsze egzemplarze były umieszczane w półokrągło zakończonych podłużnych obudowach metalowych (obudowa nie była połączona z żadną z elektrod) malowanych na charakterystyczny zielony kolor. Kolektor oznaczano czerwoną kropką. Od połowy lat 60 tranzystory serii umieszczano obudowach TO1 (podobnych do TO18 o zwiększonej wysokości). Początkowo malowano je również na zielono, później poprzestano na pokryciu galwanicznym.
Poszczególne typy różniły się dopuszczalnym napięciem kolektora, wzmocnieniem, częstotliwością graniczną i współczynnikoem szumów.
- Tranzystor TG1 (o zdecydowanie najgorszych parametrach w całej serii) występował tylko na początku okresu produkcji, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się raczej jako inne typy. Zdjęcie przedstawia tranzystory w opakowaniu zbiorczym opisanym jako typ TG1. Same tranzystory nie są opisane, a pomalowano je na bardzo nietypowy dla TEWY czerwony kolor. Prawdopodobnie fabryka traktowała je wręcz jako odpady produkcyjne.
- Tranzystor TG2 miał parametry niewiele lepsze od TG1. Występował dosyć rzadko, prawdopodobnie wraz z opanowaniem technologii tranzystory miały lepsze parametry i kwalifikowały się już jako inne typy. Jedno ze zdjęć przedstawia tranzystory z oznaczeniem producenta CEMI, co oznacza, że produkowano je jeszcze w latach 70 XX wieku - w epoce układów scalonych.
- Typy TG3A i TG3F to najlepsze tranzystory serii. Szczególnie TG3F charakteryzował się wysokim wzmocnieniem i małymi szumami, niestety był bardzo trudno osiągalny.
- Tranzystor TG4 to typ niskoszumny, przeznaczony do stosowania w stopniach wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości. Nie był zbyt często spotykany, bywał zastępowany niskoszumnymi tranzystorami importowanymi różnych typów.
- Bardzo dużą popularność zdobył tranzystor typu TG5. Był używany w stopniach napięciowych małej częstotliwości tranzystorowych odbiorników radiowych i w wielu innych zastosowaniach. Dosyć rzadki jest tranzystor TG5E, różniący się od wersji podstawowej niższym dopuszczalnym napięciem kolektora.
Typ | Parametry dopuszczalne | Parametry charakterystyczne | Uwagi | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UCBO [V] | UCES [V] | IC [mA] | PC [mW] (tcase=25°C) | h21E (-10mA,-6V) | -ICBO (max,-12V) | fT [MHz] (min,1mA,-6V) | Fmax [dB] | ||
TG1 | -10 | -10 | -10 | 75 | 9..20 | 15 | 0.3 | 30 | Cena zbytu 9zł, detaliczna 12zł (1963). Najgorszy tranzystor serii, dosyć rzadko spotykany. |
TG2 | -15 | -15 | -10 | 75 | 20..80 | 15 | 0.6 | 30 | Cena zbytu 12zł, detaliczna 15zł (1963). Dosyć rzadko spotykany. |
TG3A | -15 | -15 | -10 | 75 | 70..120 | 15 | 1 | Cena zbytu 19zł, detaliczna 26zł (1963). | |
TG3F | -15 | -15 | -10 | 75 | 80..250 | 10 | 2 | 10 | Najlepszy tranzystor serii, rzadko spotykany. |
TG4 | -15 | -15 | -10 | 75 | 25..90 | 10 | 0.6 | 10 | Cena zbytu 16zł, detaliczna 22zł (1963), tranzystor "niskoszumny". |
TG5 | -30 | -30 | -10 | 75 | 25..80 | 15 | 0.8 | 15 | Cena zbytu 16zł, detaliczna 26zł (1963), bardzo popularny. |
TG5E | -15 | -10 | 75 | 25..80 | 15 | 0.8 | 15 | Rzadki. | |
TG6 | -30 | -10 | 75 | 25..80 | 15 | 0.8 | 30 | Bardzo rzadki. | |
TG8 | -60 | -60 | -10 | 75 | 20..80 | 15 | 0.6 | Wyskonapięciowy, bardzo rzadki. | |
TG9 | -15 | -15 | -50 | 75 | ≥20 | 5 | 1.5 | Impulsowy, bardzo rzadki. |
Wnętrze tranzystora TG5. Zdjęcia przedstawiają tranzystor w obudowie TO1 (podobnej do wydłużonej TO18). Kwadratowa germanowa struktura tranzystora przylutowana jest do okrągłej blaszki pełniącej rolę wspornika i zgrzanej z drutem wyprowadzenia bazy. Dla lepszego odprowadzenia ciepła i ochroną przed czynnikami atmosferycznymi obudowa została wypełniona smarem silikonowym.
Propozycje zastosowania
Przypisy
- ↑ Vademecum polskiego przemysłu elektronicznego, WKŁ, Warszawa 1964
Bibliografia
- Karta katalogowa TG1 online.
- Karta katalogowa TG2, TG3A, TG3F, TG4, TG5, TG8 online.
- Karta katalogowa TG9 online.